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FDB14AN06LF085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB14AN06LF085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0116 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB14AN06LF085 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:247K  fairchild semi
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FDB14AN06LF085

January 2004FDB14AN06LA0 / FDP14AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pu

 4.2. Size:300K  fairchild semi
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FDB14AN06LF085

December 2010FDB14AN06LA0_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 60A, 14.6mFeatures Applications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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FDB14AN06LF085

FDB14AN06LA0-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mFeaturesApplications rDS(ON) = 12.8m (Typ.), VGS = 5V, ID = 60A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver

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History: IXFH18N60X | FRS9230R | SSM3J113TU

 

 
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