DH066N06D Todos los transistores

 

DH066N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH066N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 54 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DH066N06D Datasheet (PDF)

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DH066N06D

DH066N06D100A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.8mG DS(on) (TYP)standard.1I = 100A3 S D2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

 6.1. Size:1013K  cn wxdh
 dh066n06 dh066n06e.pdf pdf_icon

DH066N06D

DH066N06/DH066N06E110A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 60VDSSadvanced trench technology design, provided excellent 2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.7mTO-220DS(on) (TYP)standard.G1R = 5.5mTO-263DS(on) (TYP)3 S2 FeaturesI = 110AD

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