DH081N03B Todos los transistores

 

DH081N03B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH081N03B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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DH081N03B Datasheet (PDF)

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 dh081n03 dh081n03f dh081n03i dh081n03e dh081n03b dh081n03d.pdf pdf_icon

DH081N03B

DH081N03/DH081N03F/DH081N03IDH081N03E/DH081N03B/DH081N03D60A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR =8.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI =60AD2 Features Low on resistanc

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