EN6005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EN6005
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de EN6005 MOSFET
EN6005 Datasheet (PDF)
n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf

N6005/FN6005/IN6005EN6005/N6005D/N6005B180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 2.2mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 180AD2 Features Fast switching Low o
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History: CS18N70V | CS3N150F | E13N50
History: CS18N70V | CS3N150F | E13N50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: F25N10 | F20N60 | F20N50 | F18N65 | F18N50 | F16N65 | F14N65 | F13N50 | F12N60 | DTJ018N04N | DTG050P06LA | DTG045N04NA | DTG025N04NA | DTG023N03L | DTG018N04N | DTE043N04NA
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