EN6005 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EN6005 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1624 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Encapsulados: TO263
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EN6005 datasheet
n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf
N6005/FN6005/IN6005 EN6005/N6005D/N6005B 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 2.2m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low o
Otros transistores... E20N50, E25N10, E50N06, E630, E640, E740, E80N06, ED120N10ZR, K3569, F10N50, F10N60, F10N70, F10N80, F110N04, DHZ24B31, DJC070N60F, DJC070N65M2
History: IRFAC40 | DTG025N04NA | AP2C018LM | TSM3455CX6 | 2SK3902-ZK | IRF3704ZCLPBF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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