DJF380N65T Todos los transistores

 

DJF380N65T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DJF380N65T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DJF380N65T Datasheet (PDF)

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DJF380N65T

DJF380N65T10.6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhanced vdmosfets, is using advancedsuper junction technology and design to provide excellent 2 DV = 650VDSSRds(on) with low gate charge. Which accords with theR = 0.33DS(on) (TYP)RoHS standard. G1I = 10.6A3 S D2 Features Fast switching Low on resistance Low gate c

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