DHS180N10LF Todos los transistores

 

DHS180N10LF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS180N10LF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DHS180N10LF Datasheet (PDF)

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DHS180N10LF

DHS180N10L/DHS180N10LF/DHS180N10LI/DHS180N10LE/DHS180N10LB/DHS180N10LD47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced SGT trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 18mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 47AD2 Features

 4.1. Size:1258K  cn wxdh
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DHS180N10LF

DHS180N10LD 100V/15m/50A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 15mID 100% single pulse avalanche energy test 50ACiss@10V 100% VDS test 1076pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 2nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Management Sy

Otros transistores... DHS130N06B , DHS130N06D , DHS160N100B , DHS160N100D , DHS180N10L , DHS180N10LB , DHS180N10LD , DHS180N10LE , NCEP15T14 , DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , DTG025N04NA , DTG045N04NA .

History: AOTS32338C | 2N6792U

 

 
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