DSU035N10N3A Todos los transistores

 

DSU035N10N3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSU035N10N3A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1452 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

 Búsqueda de reemplazo de DSU035N10N3A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DSU035N10N3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  cn wxdh
 dsu035n10n3a.pdf pdf_icon

DSU035N10N3A

DSU035N10N3A100V/2.9m/190A N-MOSFETFeatures Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 2.9mID Low reverse transfer capacitances 190A 100% single pulse avalanche energy test Ciss@10V 4532pF 100% VDS test Qgd 23nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliantApplications Power switching applications DC-DC conv

 6.1. Size:1417K  cn wxdh
 dsu035n14n3.pdf pdf_icon

DSU035N10N3A

DSU035N14N3 135V/3.3m/225A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 135VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 3.3m 100% single pulse avalanche energy test VTH 3VID 100% VDS test 225ACiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7463pFQgd 23nCApplications Power switching applications DC-DC converters Fu

Otros transistores... DSP051N10N , DSP060N04LA , DSP070N10L3A , DSU007N04NA , DSU011N08N3A , DSU021N10NA , DSU023N10N3 , DSU024N10N3A , IRFB4227 , DSU035N14N3 , DTD080N07N , DTE025N04NA , DHS031N07P , DHS035N10 , DHS035N10E , DHS035N88 , DHS035N88E .

 

 
Back to Top

 


 
.