DSU035N10N3A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSU035N10N3A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1452 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TOLL

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DSU035N10N3A datasheet

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DSU035N10N3A

DSU035N10N3A 100V/2.9m /190A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 2.9m ID Low reverse transfer capacitances 190A 100% single pulse avalanche energy test Ciss@10V 4532pF 100% VDS test Qgd 23nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Applications Power switching applications DC-DC conv

 6.1. Size:1417K  cn wxdh
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DSU035N10N3A

DSU035N14N3 135V/3.3m /225A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 135V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 3.3m 100% single pulse avalanche energy test VTH 3V ID 100% VDS test 225A Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7463pF Qgd 23nC Applications Power switching applications DC-DC converters Fu

Otros transistores... DSP051N10N, DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, 10N60, DSU035N14N3, DTD080N07N, DTE025N04NA, DHS031N07P, DHS035N10, DHS035N10E, DHS035N88, DHS035N88E