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DSU035N10N3A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSU035N10N3A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 190 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1452 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSU035N10N3A

 

Principales características: DSU035N10N3A

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DSU035N10N3A

DSU035N10N3A 100V/2.9m /190A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 2.9m ID Low reverse transfer capacitances 190A 100% single pulse avalanche energy test Ciss@10V 4532pF 100% VDS test Qgd 23nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Applications Power switching applications DC-DC conv

 6.1. Size:1417K  cn wxdh
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DSU035N10N3A

DSU035N14N3 135V/3.3m /225A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 135V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 3.3m 100% single pulse avalanche energy test VTH 3V ID 100% VDS test 225A Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7463pF Qgd 23nC Applications Power switching applications DC-DC converters Fu

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