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DSG108N20NA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSG108N20NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 367 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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Principales características: DSG108N20NA

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DSG108N20NA

DSG108N20NA 200V/11m /110A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 200V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 11m ID 100% single pulse avalanche energy test 110A Ciss@10V 100% VDS test 4260pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 9nC Applications Power switching applications DC-DC converters Full bridge c

Otros transistores... DSG047N08N3 , DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA , DSG070N10L3 , DSG070N15NA , CS150N03A8 , DSG140N12N3 , DSG270N12N3 , DSN108N20N , DHS025N88E , DHS025N88F , DHS025N88I , DHS030N88 , DHS030N88E .

 

 
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