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DSE026N10NA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSE026N10NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 169 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSE026N10NA

 

Principales características: DSE026N10NA

 ..1. Size:947K  cn wxdh
 dse026n10na dsg028n10na.pdf pdf_icon

DSE026N10NA

DSE026N10NA&DSG028N10NA 180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 2.4m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 2.2m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 180A D 2

 4.1. Size:1479K  cn wxdh
 dse026n10n3a.pdf pdf_icon

DSE026N10NA

DSE026N10N3A 100V/2.2m /180A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 2.2m Low reverse transfer capacitances VTH 3V ID(Silicon limit) 100% single pulse avalanche energy test 240A ID (Package limit) 100% VDS test 180A Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7035pF Qgd 27nC Application

 9.1. Size:1192K  cn wxdh
 dsg030n10n3 dse028n10n3.pdf pdf_icon

DSE026N10NA

DSG030N10N3/DSE028N10N3 170A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 2.6m TO-220 DS(on) (TYP) the RoHS standard. G R = 2.4m TO-263 DS(on) (TYP) 1 2 Features 3

 9.2. Size:1551K  cn wxdh
 dse022n10n3 dsg024n10n3.pdf pdf_icon

DSE026N10NA

DSE022N10N3&DSG024N10N3 100V/1.7m /240A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 1.7m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 1.9m 100% VDS test VTH 3V ID Silicon limit Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 364A ID Package limit 240A

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