JMSL0315AU Todos los transistores

 

JMSL0315AU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0315AU
   Código: SL0315A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 363 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSL0315AU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  jiejie micro
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JMSL0315AU

JMSL0315AU30V 7.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 43 A Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.6 mApplications Power Mgmt. in Computing, C

 0.1. Size:277K  jiejie micro
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JMSL0315AU

JMSL0315AUD30V 8.8m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ1.7 V ID (@ VGS = 10V) (1) 36 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.4 mApplications Power Mgmt. in Computing,

 5.1. Size:276K  jiejie micro
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JMSL0315AU

JMSL0315AV30V 7.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 22 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manage

 5.2. Size:307K  jiejie micro
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JMSL0315AU

JMSL0315APD30V 9.5m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 12.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Mot

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