JMSL0401AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL0401AG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 189 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1993 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSL0401AG MOSFET
JMSL0401AG Datasheet (PDF)
jmsl0401agq.pdf
JMSL0401AGQ40V 1.3mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 198 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.7 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi
Otros transistores... FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , IRFP250 , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG , JMSL0401BGQ , JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ .
History: BSC0921NDI | STT04N20 | 2SK2793 | TMA2N60H | BSC0906NS | SM6032NSG | WNM2016-3
History: BSC0921NDI | STT04N20 | 2SK2793 | TMA2N60H | BSC0906NS | SM6032NSG | WNM2016-3
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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