JMSH0602AE Todos los transistores

 

JMSH0602AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH0602AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1365 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0023 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0602AE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0602AE datasheet

 ..1. Size:386K  jiejie micro
 jmsh0602ac jmsh0602ae.pdf pdf_icon

JMSH0602AE

JMSH0602AC JMSH0602AE 60V 1.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low RDS(ON) Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 60 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 3.0 V ID (@ VGS = 10V) (1) 195 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing,

 0.1. Size:320K  jiejie micro
 jmsh0602aeq.pdf pdf_icon

JMSH0602AE

JMSH0602AEQ 60V 2.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 224 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.0 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-263-3L

 5.1. Size:345K  jiejie micro
 jmsh0602ag.pdf pdf_icon

JMSH0602AE

JMSH0602AG 60V 1.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 175 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.9 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indus

 5.2. Size:407K  jiejie micro
 jmsh0602akq.pdf pdf_icon

JMSH0602AE

JMSH0602AKQ 60V 2.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.2 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-252-3L Top Vie

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG , JMSL0401BGQ , JMSH0602AC , RFP50N06 , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG .

 

 

 


🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198

 

 

↑ Back to Top
.