JMSH0602AEQ Todos los transistores

 

JMSH0602AEQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0602AEQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 224 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1695 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMSH0602AEQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  jiejie micro
 jmsh0602aeq.pdf pdf_icon

JMSH0602AEQ

JMSH0602AEQ60V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 224 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.0 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-263-3L

 4.1. Size:386K  jiejie micro
 jmsh0602ac jmsh0602ae.pdf pdf_icon

JMSH0602AEQ

JMSH0602ACJMSH0602AE60V 1.8m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low RDS(ON)Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS60 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ3.0 V ID (@ VGS = 10V) (1) 195 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing,

 5.1. Size:345K  jiejie micro
 jmsh0602ag.pdf pdf_icon

JMSH0602AEQ

JMSH0602AG60V 1.9m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 175 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.9 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indus

 5.2. Size:407K  jiejie micro
 jmsh0602akq.pdf pdf_icon

JMSH0602AEQ

JMSH0602AKQ60V 2.2m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)2.2 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-252-3L Top Vie

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History: WMJ36N60C4 | AO3401MI-MS | AONP38324 | JMSH0606PGDQ | AOSX32128 | BSB053N03LPG

 

 
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