JBE103T Todos los transistores

 

JBE103T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JBE103T
   Código: BE103T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 184 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 95 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1181 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JBE103T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  jiejie micro
 jbe103t.pdf pdf_icon

JBE103T

JBE103T100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 184 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3 Pb-free Lead Plating mW

 9.1. Size:1023K  jiejie micro
 jbe102y.pdf pdf_icon

JBE103T

JBE102Y100V 3.1mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.1 mW Pb-free Lead Plating

 9.2. Size:1021K  jiejie micro
 jbe102g.pdf pdf_icon

JBE103T

JBE102G100V 2.3mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

 9.3. Size:517K  jiejie micro
 jbe102t.pdf pdf_icon

JBE103T

JBE102T100V 2.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 100% UIS Tested, 100% RgTested ID (@ VGS = 10V) (1) 240 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.2 mW

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , IRF730 , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ .

 

 
Back to Top

 


 
.