JMSH0606PU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0606PU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 814 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de JMSH0606PU MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSH0606PU datasheet
jmsh0606pu.pdf
60V, 55A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PU Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Managem
jmsh0606pgq.pdf
60V, 118A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 60 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 118 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applicatio
jmsh0606pgd.pdf
60V, 88A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 88 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PDFN5X6-8L
jmsh0606pc.pdf
60V, 103A, 4.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0606PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 103 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2
Otros transistores... JMSH0606AKQ , JMSH0606AU , JMSH0606PC , JMSH0606PG , JMSH0606PGD , JMSH0606PGDQ , JMSH0606PGQ , JMSH0606PK , IRF730 , JMSH1008AC , JMSH1008AE , JMSH1008AG , JMSH1008AGQ , JMSH1008AKQ , JMSH1008PC , JMSH1008PE , JMSH1008PG .
History: BSZ010NE2LS5 | SMT8N60 | ET8818 | RF4E070GN | ASDM30N90KQ | SD210 | HP3510P
History: BSZ010NE2LS5 | SMT8N60 | ET8818 | RF4E070GN | ASDM30N90KQ | SD210 | HP3510P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304
