JMSL0303AU Todos los transistores

 

JMSL0303AU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0303AU
   Código: SL0303A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 119 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1539 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMSL0303AU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  jiejie micro
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JMSL0303AU

JMSL0303AU30V 1.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 119 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.8 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Powe

 5.1. Size:297K  jiejie micro
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JMSL0303AU

JMSL0303AG30V 1.7m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 136 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0,

 5.2. Size:312K  jiejie micro
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JMSL0303AU

JMSL0303AK30V 2.7m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 118 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Co

 6.1. Size:1281K  jiejie micro
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JMSL0303AU

30V, 162A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0303TGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge ParametersValue UnitVDSS 30 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 162 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.5 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

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History: IXFK24N80P

 

 
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