JMPL1050AE Todos los transistores

 

JMPL1050AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMPL1050AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO263

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JMPL1050AE datasheet

 ..1. Size:278K  jiejie micro
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JMPL1050AE

JMPL1050AE -100V 36m P-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low On-Resistance VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -36 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 36 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 50 m 100% UIS Tested, 100%

 5.1. Size:356K  jiejie micro
jmpl1050ak.pdf pdf_icon

JMPL1050AE

JMPL1050AK -100V 37m P-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low On-Resistance VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -30 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 37 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 50 m 100% UIS Tested, 100%

 5.2. Size:376K  jiejie micro
jmpl1050ap.pdf pdf_icon

JMPL1050AE

JMPL1050AP -100V 39m P-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low On-Resistance VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -6.3 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 39 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 57 m 100% UIS Tested, 100%

 5.3. Size:348K  jiejie micro
jmpl1050akq.pdf pdf_icon

JMPL1050AE

JMPL1050AKQ -100V 37m P-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS -100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ -2.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = -10V) (1) -36 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) 37 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V) 50 m Halogen-free and RoHS-

Otros transistores... JMPF25N50BJ , JMPF4N60BJ , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , JMPF630BJ , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , JMPF8N60BJ , IRF4905 , JMPL1050AG , JMPL1050AGQ , JMPL1050AK , JMPL1050AKQ , JMPL1050AP , JMPL1050APD , JMPL1050AU , JMPL1050AUQ .

 

 

 


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