JMPL1050AP Todos los transistores

 

JMPL1050AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPL1050AP
   Código: PL1050A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMPL1050AP Datasheet (PDF)

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JMPL1050AP

JMPL1050AP-100V 39m P-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low On-Resistance VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -6.3 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)39 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)57 m 100% UIS Tested, 100%

 0.1. Size:365K  jiejie micro
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JMPL1050AP

JMPL1050APD-100V 39mDual P-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low On-Resistance VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -6.6 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)39 RoHS and Halogen-Free Compliant m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)57 m 100% UIS Tes

 5.1. Size:356K  jiejie micro
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JMPL1050AP

JMPL1050AK-100V 37m P-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low On-Resistance VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -30 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)37 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)50 m 100% UIS Tested, 100%

 5.2. Size:348K  jiejie micro
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JMPL1050AP

JMPL1050AKQ-100V 37m P-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = -10V) (1) -36 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)37 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)50 m Halogen-free and RoHS-

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