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JMPL1050AUQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPL1050AUQ
   Código: PL1050AQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMPL1050AUQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  jiejie micro
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JMPL1050AUQ

JMPL1050AUQ-100V 38m P-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = -10V) (1) -27 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)38 Pb-free Lead Plating m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)51 m Halogen-free and RoH

 4.1. Size:376K  jiejie micro
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JMPL1050AUQ

JMPL1050AU-100V 38m P-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low On-Resistance VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -26 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)38 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)51 m 100% UIS Tested, 100% R

 5.1. Size:356K  jiejie micro
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JMPL1050AUQ

JMPL1050AK-100V 37m P-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low On-Resistance VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -30 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)37 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)50 m 100% UIS Tested, 100%

 5.2. Size:376K  jiejie micro
 jmpl1050ap.pdf pdf_icon

JMPL1050AUQ

JMPL1050AP-100V 39m P-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low On-Resistance VDS-100 V Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-Free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -6.3 A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V)39 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)57 m 100% UIS Tested, 100%

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History: 3SK180-4

 

 
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