JMSH2010PC Todos los transistores

 

JMSH2010PC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH2010PC
   Código: SH2010P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 253 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 429 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0117 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMSH2010PC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1257K  jiejie micro
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JMSH2010PC

200V, 96A, 9.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH2010PCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 96 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

 0.1. Size:1291K  jiejie micro
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JMSH2010PC

200V, 100A, 8.6m N-channel Power Strong MOSFETJMSH2010PCQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 200 V High Current Carrying Capability VGS(th)_Typ 3.0 V Fully Characterized UIS and SOAID(@VGS=10V) 100 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.6 mW AEC-Q101 QualifiedApplication

 5.1. Size:1343K  jiejie micro
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JMSH2010PC

200V, 109A, 9.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH2010PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 109 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 5.2. Size:555K  jiejie micro
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JMSH2010PC

JMSH2010PTL200V 7.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 119 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, I

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