JMPL0648PKQ Todos los transistores

 

JMPL0648PKQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPL0648PKQ
   Código: PL0648PQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMPL0648PKQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1379K  jiejie micro
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JMPL0648PKQ

-60V, -22A, 48m P-channel Power SGT MOSFETJMPL0648PKQProduct SummaryFeatures Low ON-resistance RDS(ON) ParametersValue Unit Excellent Gate ChargeVDSS -60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ -1.9 V 100% Vds TestedID(@VGS=-10V) -22 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 35 mW AEC-Q101 QualifiedRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 48 mWApplications

 6.1. Size:355K  jiejie micro
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JMPL0648PKQ

JMPL0648AG-60V 40m P-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low Gate Charge VDS-60 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -24 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) Halogen-free and RoHS-compliant 40 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)55 mApplications LED Back-lighting Applica

 6.2. Size:389K  jiejie micro
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JMPL0648PKQ

JMPL0648AK-60V 40m P-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low Gate Charge VDS-60 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -23 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) Halogen-free and RoHS-compliant 40 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)55 mApplications LED Back-lighting Applica

 6.3. Size:356K  jiejie micro
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JMPL0648PKQ

JMPL0648AU-60V 40m P-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Low Gate Charge VDS-60 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ-2.0 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = -10V) (1) -22 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = -10V) Halogen-free and RoHS-compliant 40 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = -4.5V)55 mApplications LED Back-lighting Applica

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History: SIHB12N65E

 

 
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