JMH65R600MF Todos los transistores

 

JMH65R600MF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R600MF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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JMH65R600MF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1234K  jiejie micro
jmh65r600mf.pdf pdf_icon

JMH65R600MF

650V, 6.9A, 507m N-channel Power Super Junction MOSFETJMH65R600MFProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 650 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 6.9 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 507 mWApplications SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies Silver ATX,

 4.1. Size:1213K  jiejie micro
jmh65r600mk.pdf pdf_icon

JMH65R600MF

650V, 7.4A, 535m N-channel Power Super Junction MOSFETJMH65R600MKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 650 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 7.4 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 535 mWApplications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

 7.1. Size:1100K  jiejie micro
jmh65r640ak.pdf pdf_icon

JMH65R600MF

650V, 9A, 578m N-channel Power Super Junction MOSFETJMH65R640AKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 650 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 9 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 578 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 8.1. Size:358K  jiejie micro
jmh65r110acfd jmh65r110aefd.pdf pdf_icon

JMH65R600MF

JMH65R110ACFDJMH65R110AEFD650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V

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