JMH65R640AK Todos los transistores

 

JMH65R640AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMH65R640AK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMH65R640AK datasheet

 ..1. Size:1100K  jiejie micro
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JMH65R640AK

650V, 9A, 578m N-channel Power Super Junction MOSFET JMH65R640AK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 650 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 9 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 578 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

 7.1. Size:1234K  jiejie micro
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JMH65R640AK

650V, 6.9A, 507m N-channel Power Super Junction MOSFET JMH65R600MF Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 6.9 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 507 mW Applications SMPS with PFC,Flyback and LLC topologies Silver ATX,

 7.2. Size:1213K  jiejie micro
jmh65r600mk.pdf pdf_icon

JMH65R640AK

650V, 7.4A, 535m N-channel Power Super Junction MOSFET JMH65R600MK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 7.4 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 535 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

 8.1. Size:358K  jiejie micro
jmh65r110acfd jmh65r110aefd.pdf pdf_icon

JMH65R640AK

JMH65R110ACFD JMH65R110AEFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V

Otros transistores... JMPL0648AG , JMPL0648AK , JMPL0648AU , JMPL0648PKQ , JMPL1025AE , JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , IRFZ24N , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M .

History: HCA90R450 | TK15H50C

 

 

 

 

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