JMH65R980AK Todos los transistores

 

JMH65R980AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMH65R980AK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMH65R980AK datasheet

 ..1. Size:338K  jiejie micro
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JMH65R980AK

JMH65R980AK 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 900 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H

 0.1. Size:338K  jiejie micro
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JMH65R980AK

JMH65R980AKQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H

 4.1. Size:323K  jiejie micro
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JMH65R980AK

JMH65R980AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H

 4.2. Size:315K  jiejie micro
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JMH65R980AK

JMH65R980ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J

Otros transistores... JMPL0648PKQ , JMPL1025AE , JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , P60NF06 , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS .

History: S2N7002K | NCE60R360F

 

 

 

 

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