JMSH0803MC Todos los transistores

 

JMSH0803MC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH0803MC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1224 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0803MC MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0803MC datasheet

 ..1. Size:1243K  jiejie micro
 jmsh0803mc.pdf pdf_icon

JMSH0803MC

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 165 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 5.1. Size:1350K  jiejie micro
 jmsh0803me.pdf pdf_icon

JMSH0803MC

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 206 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

 5.2. Size:1258K  jiejie micro
 jmsh0803mtl.pdf pdf_icon

JMSH0803MC

80V, 253A, 2.1 m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 253 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x

 5.3. Size:1291K  jiejie micro
 jmsh0803mg.pdf pdf_icon

JMSH0803MC

80V, 162A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 162 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manag

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , IRF830 , JMSH0803ME , JMSH0803MG , JMSH0803MTL , JMSH0803NGS , JMSH0803PC , JMSH0804NC , JMSH0804NE , JMSH0804NG .

History: HCA65R165 | MMN400A006U1 | IRF7313PBF-1 | SWF15N50DA | 2SK3111 | IRF720SPBF | 4N65KL-TF3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.