JMSH1565AKSQ Todos los transistores

 

JMSH1565AKSQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1565AKSQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMSH1565AKSQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  jiejie micro
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JMSH1565AKSQ

JMSH1565AKSQ150V 57m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS150 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 26 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)52 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-2

 3.1. Size:326K  jiejie micro
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JMSH1565AKSQ

JMSH1565AKS150V 52m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 18 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)52 m RoHS and Halogen-Free CompliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Aut

 5.1. Size:310K  jiejie micro
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JMSH1565AKSQ

JMSH1565AGS150V 52m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON)VDS150 V Low Gate ChargeVGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg TestedID (@ VGS = 10V) (1) 18 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)52 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Automa

 5.2. Size:323K  jiejie micro
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JMSH1565AKSQ

JMSH1565AUS150V 54m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON)VDS150 V Low Gate ChargeVGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg TestedID (@ VGS = 10V) (1) 14 ARDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)54 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom

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History: GSM3016S | JCS3AN150FA | APM4953K | PNMTOF600V5 | 2SK3159

 

 
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