JBL102T Todos los transistores

 

JBL102T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JBL102T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 329 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 272 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1518 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERJE-10X12
 

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JBL102T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1062K  jiejie micro
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JBL102T

JBL102T100V 1.8mW TOLL N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 272 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Telecom., Indust

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JBL102T

JBL102E100V 2.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 246 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.0 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

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JBL102T

JBL102Y100V 2.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 Pb-free Lead Plating m

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JBL102T

JBL101N100V 1.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 325 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.2 mWApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC

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History: IPD90P03P4L-04

 

 
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