JBL102T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JBL102T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 329 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 272 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1518 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: TOLL

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JBL102T datasheet

 ..1. Size:1062K  jiejie micro
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JBL102T

JBL102T 100V 1.8mW TOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 272 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Indust

 8.1. Size:1079K  jiejie micro
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JBL102T

JBL102E 100V 2.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 246 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.0 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

 8.2. Size:557K  jiejie micro
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JBL102T

JBL102Y 100V 2.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.7 Pb-free Lead Plating m

 9.1. Size:788K  jiejie micro
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JBL102T

JBL101N 100V 1.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 325 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.2 mW Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC

Otros transistores... JMSH1565AKS, JMSH1565AKSQ, JMSH1565APS, JMSH1565AUS, JMSH1566AG, JMSH1566AK, JMSH1566AKQ, JBL102E, AO3400, JBL102Y, JBL111P, JBL112T, JBL113P, JMCL0410AGD, JMCL0410AUD, JMH65R030PSFD, JMH65R040ASFD