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JMH65R040PSFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R040PSFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 124 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMH65R040PSFD

 

Principales características: JMH65R040PSFD

 ..1. Size:1326K  jiejie micro
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JMH65R040PSFD

650V, 53A, 34m N-channel Power Super Junction MOSFET JMH65R040PSFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 53 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 34 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

 5.1. Size:355K  jiejie micro
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JMH65R040PSFD

JMH65R040ASFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 4.0 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 71 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 35 m Eoss@400V 16.0 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Pb

 5.2. Size:380K  jiejie micro
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JMH65R040PSFD

JMH65R040ASFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 4.0 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 71 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 35 m Eoss@400V 16.0 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested P

 7.1. Size:1328K  jiejie micro
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JMH65R040PSFD

650V, 29A, 76m N-channel Power Super Junction MOSFET JMH65R090PSFD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 29 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 76 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

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History: H12N65P | AP50P02DF | AP2302AI | TMAN15N50 | AP0904GP-HF | TMAN10N80

 

 
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