JMPC10N65BJ Todos los transistores

 

JMPC10N65BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC10N65BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMPC10N65BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  jiejie micro
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JMPC10N65BJ

JMPC10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)

 6.1. Size:1044K  jiejie micro
 jmpc10n60bj.pdf pdf_icon

JMPC10N65BJ

JMPC10N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 10A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1046K  jiejie micro
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JMPC10N65BJ

JMPC15N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 15A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:1047K  jiejie micro
 jmpc13n50bj.pdf pdf_icon

JMPC10N65BJ

JMPC13N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 13A Load SwitchRDS(ON)

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