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JMPC10N65BJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC10N65BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 136 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMPC10N65BJ

 

Principales características: JMPC10N65BJ

 ..1. Size:437K  jiejie micro
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JMPC10N65BJ

JMPC10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:1044K  jiejie micro
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JMPC10N65BJ

JMPC10N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 10A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1046K  jiejie micro
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JMPC10N65BJ

JMPC15N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 15A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1047K  jiejie micro
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JMPC10N65BJ

JMPC13N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 13A Load Switch RDS(ON)

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