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JMPC20N60BJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC20N60BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 274 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMPC20N60BJ

 

Principales características: JMPC20N60BJ

 ..1. Size:1045K  jiejie micro
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JMPC20N60BJ

JMPC20N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 20A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:441K  jiejie micro
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JMPC20N60BJ

JMPC20N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 20A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1257K  jiejie micro
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JMPC20N60BJ

600V, 25A, 282m N-channel Power Planar MOSFET JMPC25N60BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 600 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 25 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 282 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S

 9.2. Size:1045K  jiejie micro
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JMPC20N60BJ

JMPC25N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 25A Load Switch RDS(ON)

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