JMPC28N20BJ Todos los transistores

 

JMPC28N20BJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMPC28N20BJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.106 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMPC28N20BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1253K  jiejie micro
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JMPC28N20BJ

200V, 28A, 82m N-channel Power Planar MOSFETJMPC28N20BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 28 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 82 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 9.1. Size:1257K  jiejie micro
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JMPC28N20BJ

600V, 25A, 282m N-channel Power Planar MOSFETJMPC25N60BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 600 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 25 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 282 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S

 9.2. Size:1045K  jiejie micro
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JMPC28N20BJ

JMPC20N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 20A Load SwitchRDS(ON)

 9.3. Size:1045K  jiejie micro
 jmpc25n50bj.pdf pdf_icon

JMPC28N20BJ

JMPC25N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 25A Load SwitchRDS(ON)

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