JMSH0601AG Todos los transistores

 

JMSH0601AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0601AG
   Código: SH0601A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 197 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1365 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de JMSH0601AG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMSH0601AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  jiejie micro
 jmsh0601ag.pdf pdf_icon

JMSH0601AG

JMSH0601AG60V 1.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communic

 0.1. Size:415K  jiejie micro
 jmsh0601agq.pdf pdf_icon

JMSH0601AG

JMSH0601AGQ60V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 225 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.1. Size:382K  jiejie micro
 jmsh0601atlq.pdf pdf_icon

JMSH0601AG

JMSH0601ATLQ60V 1.2m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultralow ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 328 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Appli

 5.2. Size:381K  jiejie micro
 jmsh0601atl.pdf pdf_icon

JMSH0601AG

JMSH0601ATL60V 1.2m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 348 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computi

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMPC16N65BJ , JMPC18N20BJ , JMPC18N50BJ , JMPC20N60BJ , JMPC20N65BJ , JMPC25N50BJ , JMPC25N60BJ , JMPC28N20BJ , 4N60 , JMSH0601AGQ , JMSH0601ATL , JMSH0601ATLQ , JMSH0601BG , JMSH0601BGQ , JMSH0601PTL , JMSH0603AK , JMSH0603AKQ .

 

 
Back to Top

 


 
.