JMSH0601PTL Todos los transistores

 

JMSH0601PTL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0601PTL
   Código: SH0601P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 332 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 95 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3024 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERJE-10X12
 

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JMSH0601PTL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1256K  jiejie micro
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JMSH0601PTL

60V, 332A, 1.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0601PTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 332 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x1

 6.1. Size:412K  jiejie micro
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JMSH0601PTL

JMSH0601BGQ60V 1.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 314 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 6.2. Size:399K  jiejie micro
 jmsh0601bg.pdf pdf_icon

JMSH0601PTL

JMSH0601BG60V 1.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 303 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.0 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE,

 6.3. Size:342K  jiejie micro
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JMSH0601PTL

JMSH0601AG60V 1.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communic

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