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JMSH0603AK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0603AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1654 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSH0603AK

 

Principales características: JMSH0603AK

 ..1. Size:349K  jiejie micro
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JMSH0603AK

JMSH0603AK 60V 2.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Com

 0.1. Size:389K  jiejie micro
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JMSH0603AK

JMSH0603AKQ 60V 2.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 151 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.6 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-252-3L Top Vie

 6.1. Size:1197K  jiejie micro
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JMSH0603AK

60V, 106A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0603PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 106 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN5

 6.2. Size:1281K  jiejie micro
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JMSH0603AK

60V, 152A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0603PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 60 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 152 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica

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