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JMSH1001NE7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1001NE7
   Código: SH1001N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 208 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2168 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-7L
 

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JMSH1001NE7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1182K  jiejie micro
 jmsh1001ne7.pdf pdf_icon

JMSH1001NE7

100V, 300A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1001NE7Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 300 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementTO-263 -7L

 4.1. Size:365K  jiejie micro
 jmsh1001nc jmsh1001ne.pdf pdf_icon

JMSH1001NE7

JMSH1001NCJMSH1001NE100V 1.6m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 353 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool,

 5.1. Size:1257K  jiejie micro
 jmsh1001ntlq.pdf pdf_icon

JMSH1001NE7

100V, 312A, 1.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1001NTLQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.9 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 312 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.7 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 5.2. Size:1183K  jiejie micro
 jmsh1001ntl.pdf pdf_icon

JMSH1001NE7

100V, 400A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1001NTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 400 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10

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