DMG1012T MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DMG1012T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMG1012T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.63 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: SOT523

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

DMG1012T datasheet

..1. Size:140K diodes
dmg1012t.pdf pdf_icon

DMG1012T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-523 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

..2. Size:1598K cn tech public
dmg1012t.pdf pdf_icon

7.1. Size:152K diodes
dmg1012uw.pdf pdf_icon

DMG1012UW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-323 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020

8.1. Size:206K diodes
dmg1016udw.pdf pdf_icon

DMG1016UDW COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-363 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity Level 1 per