JMH65R110ACFDQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMH65R110ACFDQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMH65R110ACFDQ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMH65R110ACFDQ datasheet

 ..1. Size:320K  jiejie micro
 jmh65r110acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R110ACFDQ

JMH65R110ACFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 99 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J Ha

 1.1. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r110acfd jmh65r110aefd.pdf pdf_icon

JMH65R110ACFDQ

JMH65R110ACFD JMH65R110AEFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V

 4.1. Size:328K  jiejie micro
 jmh65r110asfd.pdf pdf_icon

JMH65R110ACFDQ

JMH65R110ASFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 95 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 mJ Haloge

 4.2. Size:299K  jiejie micro
 jmh65r110aplnfd.pdf pdf_icon

JMH65R110ACFDQ

JMH65R110APLNFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 95 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMSH1535AGQ, JMH65R090PCFD, JMH65R090PFFD, JMH65R090PPLNFD, JMH65R090PSFD, JMH65R090PZFFD, JMH65R110ACFD, JMH65R110AEFD, P55NF06, JMH65R110AEFDQ, JMH65R110APLNFD, JMH65R110ASFD, JMH65R110PCFD, JMH65R110PEFD, JMH65R110PFFD, JMH65R110PPLNFD, JMSH040SAG