JMSH0802PTL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0802PTL 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 333 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3392 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Encapsulados: TOLL
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de JMSH0802PTL MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSH0802PTL datasheet
jmsh0802ptl.pdf
80V, 333A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 333 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x1
jmsh0802pe.pdf
80V, 263A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 263 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -3L S
jmsh0802mc.pdf
80V, 249A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 249 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22
jmsh0802me.pdf
80V, 254A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 254 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2
Otros transistores... JMSH0704PC, JMSH0704PE, JMSH0801PE, JMSH0801PTL, JMSH0802MC, JMSH0802ME, JMSH0802MTL, JMSH0802PE, 5N65, JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: APT75M50B2 | IRF840ALPBF | DHS020N88E | 3N80G-TMS4-R | NTP5411NG | HFS8N70U | NTP22N06
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor
