JMSH1102QS Todos los transistores

 

JMSH1102QS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1102QS
   Código: SH1102Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 209 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 152 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1739 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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JMSH1102QS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1302K  jiejie micro
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JMSH1102QS

100V, 209A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102QSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 209 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-

 5.1. Size:1262K  jiejie micro
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JMSH1102QS

110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102QCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 176 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

 5.2. Size:1236K  jiejie micro
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JMSH1102QS

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102QEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 220 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power Man

 6.1. Size:1249K  jiejie micro
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JMSH1102QS

110V, 158A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1102TCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 158 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

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