JMSH1507PS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1507PS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 461 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 177 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 557 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm

Encapsulados: TO247

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JMSH1507PS datasheet

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JMSH1507PS

150V, 177A, 5.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1507PS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 150 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 177 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

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JMSH1507PS

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JMSH1507PS

JMSH1507AEQ 150V 5.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 161 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

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JMSH1507PS

JMSH1507AC JMSH1507AE 150V 5.2mW N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% R Tested g ID (@ VGS = 10V) (1) 132 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indu

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