JMH65R190AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMH65R190AE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 189 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de JMH65R190AE MOSFET
JMH65R190AE PDF Specs
jmh65r190ae.pdf
JMH65R190AE 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog... See More ⇒
jmh65r190af.pdf
JMH65R190AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Hal... See More ⇒
jmh65r190apln.pdf
JMH65R190APLN 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 17.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 169 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating H... See More ⇒
jmh65r190ac.pdf
JMH65R190AC 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Hal... See More ⇒
Otros transistores... JMSH1509AG , JMSH1509AGQ , JMSH1509PC , JMSH1509PE , JMSH1509PG , JMH65R190AC , JMH65R190ACFDQ , JMH65R190ACFP , AO3400A , JMH65R190AF , JMH65R190AFFD , JMH65R190APLN , JMH65R190APLNFD , JMH65R190AS , JMH65R190AW , JMH65R190PCFD , JMH65R190PEFD .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q | AP50P20K | AP50P06K | AP50N06K | AP50N04QD | AP50N04Q | AP50N04K | AP50N04GD | AP5040QD | AP4946S | AP4847
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c

