JMH65R190AS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMH65R190AS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 189 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO247

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JMH65R190AS datasheet

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JMH65R190AS

JMH65R190AS 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 168 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

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JMH65R190AS

JMH65R190AE 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

 4.2. Size:347K  jiejie micro
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JMH65R190AS

JMH65R190AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Hal

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JMH65R190AS

JMH65R190APLN 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 17.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 169 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating H

Otros transistores... JMH65R190AC, JMH65R190ACFDQ, JMH65R190ACFP, JMH65R190AE, JMH65R190AF, JMH65R190AFFD, JMH65R190APLN, JMH65R190APLNFD, IRFZ24N, JMH65R190AW, JMH65R190PCFD, JMH65R190PEFD, JMH65R190PFFD, JMH65R190PSFD, JMSH1204PC, JMSH1204PE, JMSH1204PTL