JMH65R190AS Todos los transistores

 

JMH65R190AS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R190AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 189 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de JMH65R190AS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMH65R190AS PDF Specs

 ..1. Size:350K  jiejie micro
jmh65r190as.pdf pdf_icon

JMH65R190AS

JMH65R190AS 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 168 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog... See More ⇒

 4.1. Size:332K  jiejie micro
jmh65r190ae.pdf pdf_icon

JMH65R190AS

JMH65R190AE 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog... See More ⇒

 4.2. Size:347K  jiejie micro
jmh65r190af.pdf pdf_icon

JMH65R190AS

JMH65R190AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Hal... See More ⇒

 4.3. Size:358K  jiejie micro
jmh65r190apln.pdf pdf_icon

JMH65R190AS

JMH65R190APLN 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 17.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 169 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating H... See More ⇒

Otros transistores... JMH65R190AC , JMH65R190ACFDQ , JMH65R190ACFP , JMH65R190AE , JMH65R190AF , JMH65R190AFFD , JMH65R190APLN , JMH65R190APLNFD , IRFZ48N , JMH65R190AW , JMH65R190PCFD , JMH65R190PEFD , JMH65R190PFFD , JMH65R190PSFD , JMSH1204PC , JMSH1204PE , JMSH1204PTL .

 

 
Back to Top

 


JMH65R190AS  JMH65R190AS  JMH65R190AS 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q | AP50P20K | AP50P06K | AP50N06K | AP50N04QD | AP50N04Q | AP50N04K | AP50N04GD | AP5040QD | AP4946S | AP4847

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor

 


 
.