JMSH1506AE7 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH1506AE7 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 181 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 535 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO263-7L
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JMSH1506AE7 datasheet
jmsh1506ae7.pdf
JMSH1506AE7 150V 4.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 181 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.9 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerm
jmsh1506asq.pdf
JMSH1506ASQ 150V 5.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 174 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-2
jmsh1506as.pdf
JMSH1506AS 150V 5.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 157 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsh1506mtl.pdf
150V, 176A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1506MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 150 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 176 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S P
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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Liste
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