JMSH1506MTL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSH1506MTL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 176 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 698 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm

Encapsulados: TOLL

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JMSH1506MTL datasheet

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JMSH1506MTL

150V, 176A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1506MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 150 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 176 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S P

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JMSH1506MTL

JMSH1506AE7 150V 4.9m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 181 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.9 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerm

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JMSH1506MTL

JMSH1506ASQ 150V 5.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Low ON-resistance, RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 174 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-2

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JMSH1506MTL

JMSH1506AS 150V 5.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 150 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 157 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

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