JMSH0401AGQ Todos los transistores

 

JMSH0401AGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH0401AGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 197 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSH0401AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  jiejie micro
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JMSH0401AGQ

JMSH0401AGQ40V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:377K  jiejie micro
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JMSH0401AGQ

JMSH0401AG40V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 190 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

 5.1. Size:358K  jiejie micro
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JMSH0401AGQ

JMSH0401ATL40V 1.0m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 336 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

 5.2. Size:625K  jiejie micro
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JMSH0401AGQ

JMSH0401ATLQ40V 1.0mW TOLL N-Ch Power MOSFETFeatures Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 337 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

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