JMSH0401ATLQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0401ATLQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 337 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3405 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00125 Ohm
Encapsulados: TOLL
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JMSH0401ATLQ datasheet
jmsh0401atlq.pdf
JMSH0401ATLQ 40V 1.0mW TOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 337 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
jmsh0401atl.pdf
JMSH0401ATL 40V 1.0m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 336 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0401atsq.pdf
JMSH0401ATSQ 40V 0.9mW sTOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Standard Level Threshold, VGS(th) VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 352 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.90 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automoti
jmsh0401agq.pdf
JMSH0401AGQ 40V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: VBE2311 | 2SK795 | FDD7N20TM | P1604ETF | HM80N04 | NDB6050 | APT7F120B
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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