JMSH0401PGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0401PGQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 323 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3673 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de JMSH0401PGQ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSH0401PGQ datasheet
jmsh0401pgq.pdf
40V, 323A, 0.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.7 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 323 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica
jmsh0401pg.pdf
40V, 211A, 0.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 40 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 211 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage
jmsh0401pts.pdf
40V, 361A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PTS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 361 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sch
jmsh0401ptsq.pdf
40V, 381A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PTSQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 381 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica
Otros transistores... JMSH0401ATSQ, JMSH0401BG, JMSH0401BGQ, JMSH0401CG, JMSH0401CGQ, JMSH0401MGQ, JMSH0401PE, JMSH0401PG, IRF640, JMSH0401PTS, JMSH0401PTSQ, JMSH1003AE7Q, JMSH1003AG, JMSH1003AGQ, JMSH1003AGWQ, JMSH1003ATL, JMSH1003ATLQ
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SI7946ADP | UTT60P03
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement
