JMSH0401PTSQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSH0401PTSQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 381 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3673 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
Encapsulados: STOLL
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de JMSH0401PTSQ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMSH0401PTSQ datasheet
jmsh0401ptsq.pdf
40V, 381A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PTSQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 381 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica
jmsh0401pts.pdf
40V, 361A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PTS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 361 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sch
jmsh0401pg.pdf
40V, 211A, 0.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 40 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 211 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage
jmsh0401pe.pdf
40V, 224A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 224 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sche
Otros transistores... JMSH0401BGQ, JMSH0401CG, JMSH0401CGQ, JMSH0401MGQ, JMSH0401PE, JMSH0401PG, JMSH0401PGQ, JMSH0401PTS, 2N7002, JMSH1003AE7Q, JMSH1003AG, JMSH1003AGQ, JMSH1003AGWQ, JMSH1003ATL, JMSH1003ATLQ, JMSH1003NC, JMSH1003NE
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: AGM206A | SST65R1K2S2E | SSU65R420S2 | IXFH74N20P | APT8065BVR
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor
