JMSH1003ATLQ Todos los transistores

 

JMSH1003ATLQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSH1003ATLQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 228 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1361 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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JMSH1003ATLQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  jiejie micro
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JMSH1003ATLQ

JMSH1003ATLQ100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap

 3.1. Size:380K  jiejie micro
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JMSH1003ATLQ

JMSH1003ATL100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Compu

 5.1. Size:327K  jiejie micro
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JMSH1003ATLQ

JMSH1003AGQ100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:313K  jiejie micro
 jmsh1003ae7q.pdf pdf_icon

JMSH1003ATLQ

JMSH1003AE7Q100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 196 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

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History: BRI1N60 | 2SK829 | 2SK1079 | 2SJ419 | SIHG47N60E | JMSH1018AC

 

 
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