JMH65R360AK Todos los transistores

 

JMH65R360AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMH65R360AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMH65R360AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  jiejie micro
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JMH65R360AK

JMH65R360AK650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.3 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)320 m Eoss@400V2.5 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:353K  jiejie micro
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JMH65R360AK

JMH65R360AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)320 m Eoss@400V2.5 J Pb-free Lead Plating Hal

 5.1. Size:1239K  jiejie micro
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JMH65R360AK

650V, 8.2A, 268m N-channel Power SuperJunction MOSFETJMH65R360PFProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 650 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 8.2 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 268 mWApplications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

 5.2. Size:1237K  jiejie micro
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JMH65R360AK

650V, 7.4A, 311m N-channel Power SuperJunction MOSFETJMH65R360MFProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 650 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 7.4 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 311 mWApplications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

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